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MUBW 15-12 A7
Input Rectifier Bridge D11 - D16
50
100
10 3
A s
A
A
50Hz, 80% V RRM
2
I F
40
T VJ = 125°C
80
I FSM
T VJ = 45°C
I 2 t
T VJ = 25°C
30
60
10 2
T VJ = 45°C
20
10
0
40
20
0
T VJ = 150°C
10 1
T VJ = 150°C
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6 V
2.0
0.001
0.01
0.1
s
1
1
2
3
4 5 6 7 8 ms 9 10
V F
Fig. 1 Forward current versus voltage
drop per diode
500
W
400
P tot
300
200
t
Fig. 2 Surge overload current
R thA :
0.05 K/W
0.15 K/W
0.3 K/W
0.5 K/W
1 K/W
2 K/W
t
Fig. 3 I 2 t versus time per diode
60
A
50
I d(AV)
40
30
100
0
5 K/W
20
10
0
0
20
40
60
80
A
0
20
40
60
80 100 120 140 °C
0
20 40 60 80 100 120 140 °C
I d(AV)M
T amb
T C
Fig. 4
Power dissipation versus direct output current and ambient temperature, sin 180°
Fig. 5 Max. forward current versus
case temperature
1.6
K/W
1.2
Z thJC
0.8
0.4
0.0
DWFN9-16
0.001
0.01
0.1
1
s
10
Fig. 6 Transient thermal impedance junction to case
? 2004 IXYS All rights reserved
t
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